FAR2/BN-1E M.D. Micro Detectors Фотоэлектрический датчик, осевой, диффузный, 100 мм, NPN, NO+NC, металлический, разъем M12

FAR2/BN-1E

Срок поставки 16-20 рабочих недель на склад Екатеринбурга
11404 руб.
(С НДС)
+

Варианты способов доставки

• Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
• ТК Деловые Линии от 500 руб
• Курьером EMS Почта России от 500 руб
• Другой транспортной компанией По согласованию

Техническая спецификация

Характеристики

Номер производителя:
FAR2/BN-1E
Производитель:
M.D. Micro Detectors

Выходы

Тип выхода:
NPN
Функция выхода:
NO+NC
Частота переключения:
250Гц

Механические характеристики

Вес:
100г
Материал активной головки:
PC
Материал корпуса:
Никелированная латунь
Момент затяжки:
25Нм
Рабочая температура:
- 25 °C…+ 70° C (без заморозки)
Размеры:
M18 x 1 /L =81,6мм
Соединения:
M12 4-контактный разъем

Применение

Оптическая позиция:
Осевой
Принцип работы:
Диффузное отражение

Принадлежности

В комплекте:
Гайки M18 x 1
Семейство продукции:
Цилиндрические фотодатчики

Свойства обнаружения

Номинальное расстояние срабатывания:
100мм белая цель 90% Kodak 100x100мм
Регулировка чувствительности:
Нет
Тепловой дрейф Sr:
≤10% Sr
Точность повторения:
5%

Соответствие

Степень защиты:
IP67
ЭМС-совместимость:
EN 60947-5-2

Электрические характеристики

Задержка до доступности:
≤200мс
Защита от короткого замыкания:
Короткое замыкание (автосброс), Перенапряжение
Защита от обратной полярности:
Изменение полярности, импульсное напряжение
Максимальное содержание пульсации:
10%
Падение выходного напряжения:
2V макс. IL =100 мА
Помехи для внешнего света:
3000лк (Лампа накаливания), 10000лк (Солнечный свет)
Рабочее напряжение:
10-30В пост.тока
Светодиодные индикаторы:
Желтый (Lon) или выходной статус Lo / Do
Ток нагрузки:
≤100мА
Ток питания без нагрузки:
≤30мА
Ток утечки:
≤10мкА
Эмиссия:
Красный (660 нм)