FFI8/0N-1E M.D. Micro Detectors Фотоэлектрический датчик, осевой, диффузный, 800мм, регулируемый, NPN L/D, разъем M12

FFI8/0N-1E

Срок поставки 16-20 рабочих недель на склад Екатеринбурга
Свяжитесь с нами насчет цены.

Варианты способов доставки

• Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
• ТК Деловые Линии от 500 руб
• Курьером EMS Почта России от 500 руб
• Другой транспортной компанией По согласованию

Техническая спецификация

Характеристики

Номер производителя:
FFI8/0N-1E
Производитель:
M.D. Micro Detectors

Выходы

Тип выхода:
NPN
Функция выхода:
LO/DO выбираемый
Частота переключения:
500Гц

Механические характеристики

Вес:
60г
Материал активной головки:
PA12
Материал корпуса:
Нержавеющая сталь AISI316
Момент затяжки:
50Нм
Рабочая температура:
-25 °C…+80 °C (без заморозки)
Размеры:
M18x1/L=83мм
Соединения:
Разъем выхода M12

Применение

Оптическая позиция:
Осевой
Примечания:
Белая цель Kodak с 90% отражением 400x400 мм
Принцип работы:
Диффузное отражение

Принадлежности

В комплекте:
Металлическая гайка (2x)
Семейство продукции:
Цилиндрические фотодатчики

Свойства обнаружения

Номинальное расстояние срабатывания:
800мм
Регулировка чувствительности:
Обучение
Тепловой дрейф Sr:
10% Sr
Точность повторения:
5%

Соответствие

Степень защиты:
IP67, IP68 (1м, 7 дней), IP69K
ЭМС-совместимость:
EN 60947-5-2

Электрические характеристики

Задержка до доступности:
200мс
Защита от короткого замыкания:
Да
Защита от обратной полярности:
Да
Максимальное содержание пульсации:
≤10%
Падение выходного напряжения:
≤2V IL=100мА
Помехи для внешнего света:
5.000лк (Лампа накаливания), 10.000лк (Солнечный свет)
Рабочее напряжение:
10-30В пост.тока
Светодиодные индикаторы:
Зеленый: включена функция обучения
Ток нагрузки:
100мА
Ток питания без нагрузки:
≤35мА (at Val=30V)
Ток утечки:
≤10мкА
Эмиссия:
Инфракрасный (880 нм)